«Роснано» и Crocus Technology создадут производство MRAM

Компания «Роснано» и Crocus Technology, ведущий разработчик магниторезистивной памяти, объявили о заключении инвестиционного соглашения о создании в России производства памяти MRAM следующего поколения, говорится в сообщении «Роснано». Общий объем сделки составляет 300 млн долларов.

В рамках соглашения «Роснано» и Crocus создают компанию Crocus Nano Electronics (CNE), которая построит в России завод по производству памяти MRAM средней и высокой плотности с проектными нормами 90 и 65 нм с применением технологии термического переключения (Thermally Assisted Switching — TAS), разработанной Crocus.

Кроме этого запланировано создание образовательного центра и центров разработки и подготовки к производству в России новой компьютерной памяти и, в дальнейшем, систем на кристалле (system-on-chip — SOC). На первом этапе Crocus инвестирует более 5 млн долларов в российские исследовательские организации.

В России и странах СНГ маркетинг и продажу производимых устройств будет осуществлять CNE, в других странах — компания Crocus.

Руководство «Роснано» планирует инвестировать в проект до 3,8 млрд рублей. На первом этапе «Роснано» и соинвесторы — венчурные фонды CDC Innovation, Ventech, IDInvest Partners, NanoDimension, и Sofinnova Ventures — вложат 55 млн долларов в уставный капитал Crocus. Еще около 125 млн долларов участники проекта инвестируют в строительство завода. На следующих этапах в проект планируется инвестировать еще 120 млн долларов, которые пойдут на расширение производства.

Председатель правления «Роснано» Анатолий Чубайс так прокомментировал сделку: «Мы выбрали Crocus, поскольку уверены: эта компания обладает лучшей в своем классе технологией и способна вывести на рынок продукцию, не имеющую мировых аналогов».

Компания «Роснано» создана в марте 2011 года. 100% акций компании находится в собственности государства. В 2010 году чистая прибыль «Роснано» уменьшилась на 67,7%, и составила 3,6 млрд рублей.

Crocus Technology является ведущим разработчиком магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM), которая позволяет создавать быстрые, энергонезависимые, высокоплотные запоминающие устройства для общих и специализированных решений.